3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2013

3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates

A. Henry
  • Fonction : Auteur
Xiaojian Li
  • Fonction : Auteur
H. Jacobson
  • Fonction : Auteur
S. Andersson
  • Fonction : Auteur
D. Chaussende
E. Janzen
  • Fonction : Auteur

Résumé

Abstract Results of an epitaxial growth of 3C-SiC epilayers on Si (0001) and C(000¯1) faces of hexagonal 6H-SiC substrates are described. TEM study of grown layers as well as interface between cubic and hexagonal polytypes is presented. Difference between the layers on the Si and C faces are discussed.

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00945824 , version 1 (13-02-2014)

Identifiants

Citer

A. Henry, Xiaojian Li, H. Jacobson, S. Andersson, Alexandre Boulle, et al.. 3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates. Materials Science Forum, 2013, Volumes 740 - 742 (Chapter 4: Epitaxial Growth 3C SiC), pp.267-270. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.267⟩. ⟨hal-00945824⟩
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