Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances - Université de Limoges
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances

Domaines

Optique / photonique

Sylvain Vedraine  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://unilim.hal.science/hal-01245391

Soumis le : jeudi 17 décembre 2015-10:26:38

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01245391 , version 1 (17-12-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01245391 , version 1

Citer

Sébastien Martinie, Sylvain Vedraine, Daniela Munteanu, Gilles Le Carval, Vincent Barral, et al.. Numerical simulation of quasi-ballistic transport in fully-depleted SOI and double-gate MOSFETs: application to the analysis of circuit performances. 38th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC’2008), Sep 2008, Edinburg, United Kingdom. ⟨hal-01245391⟩

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