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Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.19ème Journées Nationales Micro-ondes (JNM),, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-01287188v1
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Experimental time-domain evaluation and simulation of high power GaN HEMTS for RF Doherty Amplifier designMicrowave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2015 10th European, IEEE, Sep 2015, PARIS, France. pp.361-364, ⟨10.1109/EuMIC.2015.7345144⟩
Communication dans un congrès
hal-01286576v1
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Electrothermal modeling of multi-fingered PHEMTs applying a global approachMicrowave Symposium Digest, 2002 IEEE MTT-S International, 2002, Unknown, Unknown Region. pp.2085--2088
Communication dans un congrès
hal-01279263v1
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Evaluation des transistors HEMTs GaN pour la conception d’amplificateurs Doherty microondes19ème Journées Nationales Micro-ondes (JNM), , Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-01287187v1
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An automatized time-domain set-up for on-wafer charaterization, doherty oriented, of high power GaN HEMTSMicrowave Measurement Conference (ARFTG), 2015 85th, May 2015, Phoenix, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/ARFTG.2015.7162905⟩
Communication dans un congrès
hal-01286807v1
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Single and dual input packaged 5.5–6.5GHz, 20W, Quasi-MMIC GaN-HEMT Doherty Power Amplifier2017 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2017, Jun 2017, Honololu, United States. ⟨10.1109/MWSYM.2017.8058804⟩
Communication dans un congrès
hal-01706865v1
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