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Caractérisation temporelle automatisée, sous pointes et orientée Doherty, de transistors GaN HEMT.
Lotfi Ayari
,
Mohammed Ayad
,
Neveux Guillaume
,
Denis Barataud
,
Estelle Byk
,
et al.
19ème Journées Nationales Micro-ondes (JNM),, Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-01287188v1
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Experimental time-domain evaluation and simulation of high power GaN HEMTS for RF Doherty Amplifier design
Lotfi Ayari
,
Guillaume Neveux
,
Denis Barataud
,
Mohammed Ayad
,
Estelle Byk
,
et al.
Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2015 10th European, IEEE, Sep 2015, PARIS, France. pp.361-364, ⟨10.1109/EuMIC.2015.7345144⟩
Communication dans un congrès
hal-01286576v1
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Evaluation des transistors HEMTs GaN pour la conception d’amplificateurs Doherty microondes
Mohammed Ayad
,
Lotfi Ayari
,
Neveux Guillaume
,
Denis Barataud
,
Estelle Byk
,
et al.
19ème Journées Nationales Micro-ondes (JNM), , Jun 2015, Bordeaux, France
Communication dans un congrès
hal-01287187v1
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An automatized time-domain set-up for on-wafer charaterization, doherty oriented, of high power GaN HEMTS
Lotfi Ayari
,
Mohammed Ayad
,
Estelle Byk
,
Marc Camiade
,
Guillaume Neveux
,
et al.
Communication dans un congrès
hal-01286807v1
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Single and dual input packaged 5.5–6.5GHz, 20W, Quasi-MMIC GaN-HEMT Doherty Power Amplifier
Denis Barataud
,
Mohammed Ayad
,
Estelle Byk
,
Guillaume Neveux
,
Marc Camiade
Communication dans un congrès
hal-01706865v1
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Note on the Determination of the Offset Lines in Doherty Power Amplifiers
Guillaume Neveux
,
Mohamed Aziz Rifi
,
Denis Barataud
,
Mohammed Ayad
,
Elodie Richard
Article dans une revue
hal-01786897v1
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