Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S

Jérémy Dufraisse
  • Fonction : Auteur
Guillaume Callet
  • Fonction : Auteur
Stéphane Piotrowicz
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949139
Philippe Bouysse
Raymond Quéré

Résumé

Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) en InAlN/AlN/GaN sont étudiés pour analyser l'impact de paramètres technologiques de composants 2×100μm sur des mesures I-V statiques et des paramètres en petits signaux. Les variations de la distance grille-drain et de l'extension de la plaque de champ reliée à la source ont un impact sur la capacité Cds et la tenue en tension entre le drain et la source VBK. Des mesures I-V pulsées sur un composant 2×250 μm révèlent une diminution de 22 % du courant de drain à cause des effets des pièges. Des mesures en puissance sur un composant 8×250 μm mon-trent de très bonnes performances de la technologie HEMT InAlN/AlN/GaN en bande S avec un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 70 % à 3,5 GHz.

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00918189 , version 1 (13-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00918189 , version 1

Citer

Jérémy Dufraisse, Guillaume Callet, Stéphane Piotrowicz, Eric Chartier, Olivier Jardel, et al.. Caractéristiques électriques des transistors en technologie InAlN/AlN/GaN pour les applications en bande S. 17ème Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.1-4. ⟨hal-00918189⟩

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