Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
Pamela Bathias : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://unilim.hal.science/hal-00944752
Soumis le : mardi 11 février 2014-10:23:56
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00944752 , version 1
Citer
Z. Bouchkour, Pascal Tristant, Christelle Dublanche-Tixier, Cédric Jaoul, Xavier Landreau, et al.. Influence of the V/III ratio on the growth of group III nitride quantum dots deposited on silicon substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition. 19th Annual International Conference on Composites or Nano-Engeneering (ICCE-19), Jul 2011, Shanghaï, China. pp.143. ⟨hal-00944752⟩
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