Thermal and Trapping Effects Characterization of Power AlGaN/GaN PHEMTs - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01067009 , version 1 (22-09-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01067009 , version 1

Citer

Raymond Quéré, Jean-Pierre Teyssier, Sandra Demeyer, Michel Campovecchio. Thermal and Trapping Effects Characterization of Power AlGaN/GaN PHEMTs. 34th European Microwave Conference - Workshop on "Wide Band Gap Research for Microwave Applications", Oct 2004, Amsterdam, Netherlands. ⟨hal-01067009⟩

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