Détection et caractérisation de pièges dans les transistors HEMTs GaN via l’étude de la dispersion en fréquence de la conductance de sortie - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Détection et caractérisation de pièges dans les transistors HEMTs GaN via l’étude de la dispersion en fréquence de la conductance de sortie

Clément Potier
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Audrey Martin
Michel Campovecchio
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Olivier Jardel
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Stéphane Piotrowicz
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Raymond Quéré

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Dates et versions

hal-01165690 , version 1 (19-06-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01165690 , version 1

Citer

Clément Potier, Audrey Martin, Michel Campovecchio, Olivier Jardel, Stéphane Piotrowicz, et al.. Détection et caractérisation de pièges dans les transistors HEMTs GaN via l’étude de la dispersion en fréquence de la conductance de sortie . Journées Nationales Microondes JNM, Jun 2015, BORDEAUX, France. pp.424-427. ⟨hal-01165690⟩

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