Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements
Résumé
no abstract
Raphael Sommet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://unilim.hal.science/hal-01395028
Soumis le : jeudi 10 novembre 2016-12:20:52
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:03