Modelling of a 4-18GHz 6W flip-chip integrated power amplifier based on GaN HEMTs technology - Université de Limoges Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01070012 , version 1 (30-09-2014)

Identifiants

Citer

Sandra Demeyer, Audrey Philippon, Michel Campovecchio, Christophe Charbonniaud, Stéphane Piotrowicz, et al.. Modelling of a 4-18GHz 6W flip-chip integrated power amplifier based on GaN HEMTs technology. 35th European Microwave Conference, Oct 2005, Paris, France. pp. 1603-1606, ⟨10.1109/EUMC.2005.1610261⟩. ⟨hal-01070012⟩

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