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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

On-wafer time-domain characterization of power GaN HEMTs for accurate nonlinear modeling of thermal and trapping effects and their impacts on pulse to pulse reliability

Seifeddine Fakhfakh
  • Fonction : Auteur
Marwen Ben Sassi
  • Fonction : Auteur
Audrey Martin
Guillaume Neveux
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 917714
Denis Barataud
Michel Campovecchio
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Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01741097 , version 1 (22-03-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01741097 , version 1

Citer

Seifeddine Fakhfakh, Marwen Ben Sassi, Audrey Martin, Guillaume Neveux, Denis Barataud, et al.. On-wafer time-domain characterization of power GaN HEMTs for accurate nonlinear modeling of thermal and trapping effects and their impacts on pulse to pulse reliability. Workshop on "Reliability of microwave components and electronic systems", Microwave & RF 2018, Mar 2018, PARIS, France. ⟨hal-01741097⟩
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