Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Michel Campovecchio : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://unilim.hal.science/hal-01741097
Soumis le : jeudi 22 mars 2018-16:31:41
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:06
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01741097 , version 1
Citer
Seifeddine Fakhfakh, Marwen Ben Sassi, Audrey Martin, Guillaume Neveux, Denis Barataud, et al.. On-wafer time-domain characterization of power GaN HEMTs for accurate nonlinear modeling of thermal and trapping effects and their impacts on pulse to pulse reliability. Workshop on "Reliability of microwave components and electronic systems", Microwave & RF 2018, Mar 2018, PARIS, France. ⟨hal-01741097⟩
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